LBC817-25DMT1G - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор LBC817-25DMT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: LBC817-25DMT1G
   Маркировка: 6B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.37 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: SOT-457

Аналоги (замена) для LBC817-25DMT1G

LBC817-25DMT1G Datasheet (PDF)

..1. Size:175K lrc
lbc817-25dmt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LBC817-16DMT1GLBC817-25DMT1GDual General Purpose TransistorsLBC817-40DMT1GNPN DualsS-LBC817-16DMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique SiteS-LBC817-25DMT1Gand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC817-40DMT

4.1. Size:557K lrc
lbc817-16dpmt1g lbc817-25dpmt1g lbc817-40dpmt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsLBC817-16DPMT1GLBC817-25DPMT1GNPN/PNP DualsLBC817-40DPMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LBC817-16DPMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC817-25DPMT1GS-LBC

4.2. Size:497K lrc
lbc817-25dpmt1g.pdf