Биполярный транзистор LBC817-25DMT1G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: LBC817-25DMT1G
Маркировка: 6B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.37 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: SOT-457
- подбор биполярного транзистора по параметрам
LBC817-25DMT1G Datasheet (PDF)
lbc817-25dmt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LBC817-16DMT1GLBC817-25DMT1GDual General Purpose TransistorsLBC817-40DMT1GNPN DualsS-LBC817-16DMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique SiteS-LBC817-25DMT1Gand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC817-40DMT
lbc817-16dpmt1g lbc817-25dpmt1g lbc817-40dpmt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsLBC817-16DPMT1GLBC817-25DPMT1GNPN/PNP DualsLBC817-40DPMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LBC817-16DPMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC817-25DPMT1GS-LBC
lbc817-25dpmt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsLBC817-16DPMT1GLBC817-25DPMT1GNPN/PNP DualsLBC817-40DPMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LBC817-16DPMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC817-25DPMT1GS-LBC
lbc817-16dpmt1g lbc817-25dpmt1g lbc817-40dpmt1g lbc817-16dpmt3g lbc817-25dpmt3g lbc817-40dpmt3g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsLBC817-16DPMT1GLBC817-25DPMT1GNPN/PNP DualsLBC817-40DPMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LBC817-16DPMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC817-25DPMT1GS-LBC
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BDT21 | GI2716 | BC301-5 | BCP5416 | APT13005DT | TD13005SMD | EN4125
History: BDT21 | GI2716 | BC301-5 | BCP5416 | APT13005DT | TD13005SMD | EN4125



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet