Биполярный транзистор LBC817-40DMT1G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: LBC817-40DMT1G
Маркировка: 6C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.37 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора: SOT-457
Аналог (замена) для LBC817-40DMT1G
LBC817-40DMT1G Datasheet (PDF)
lbc817-40dmt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LBC817-16DMT1GLBC817-25DMT1GDual General Purpose TransistorsLBC817-40DMT1GNPN DualsS-LBC817-16DMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LBC817-25DMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC817-40DM
lbc817-16dpmt1g lbc817-25dpmt1g lbc817-40dpmt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsLBC817-16DPMT1GLBC817-25DPMT1GNPN/PNP DualsLBC817-40DPMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LBC817-16DPMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC817-25DPMT1GS-LBC
lbc817-16dpmt1g lbc817-25dpmt1g lbc817-40dpmt1g lbc817-16dpmt3g lbc817-25dpmt3g lbc817-40dpmt3g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsLBC817-16DPMT1GLBC817-25DPMT1GNPN/PNP DualsLBC817-40DPMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LBC817-16DPMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC817-25DPMT1GS-LBC
lbc817-40dpmt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LBC817-16DPMT1GLBC817-25DPMT1GDual General Purpose TransistorsLBC817-40DPMT1GNPN/PNP DualsS-LBC817-16DPMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LBC817-25DPMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC
Другие транзисторы... L9013 , L9014 , LBC807-16DMT1G , LBC807-25DMT1G , LBC807-40DMT1G , LBC817-16DMT1G , LBC817-16DPMT1G , LBC817-25DMT1G , 2222A , LBC817-40DPMT1G , LBC846ADW1T1G , LBC847CPDW1T1G , LBC848AWT1G , LBC858CWT1G , LBCW65ALT1G , M54522WP , M54530FP .
History: 2N1589 | NR421DR | NTE2551 | 2SC1400E | ST2SC1383 | 2SD2156 | MP2200A
History: 2N1589 | NR421DR | NTE2551 | 2SC1400E | ST2SC1383 | 2SD2156 | MP2200A



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437