Биполярный транзистор M54566DP Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: M54566DP
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
   Корпус транзистора: 16P2X-B
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам