MBT3904DW1T3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MBT3904DW1T3G

Маркировка: MA

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для MBT3904DW1T3G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MBT3904DW1T3G даташит

 ..1. Size:100K  onsemi
 mbt3904dw1t3g.pdf pdf_icon

MBT3904DW1T3G

MBT3904DW1, MBT3904DW2, SMBT3904DW1, NSVMBT3904DW1 Dual General Purpose www.onsemi.com Transistors MARKING The MBT3904DW1 and MBT3904DW2 devices are a spin-off of DIAGRAM our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for 6 general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363 SOT-363/SC-88/ six-leaded surface mount package. By putting two discrete de

 0.1. Size:100K  onsemi
 nsvmbt3904dw1t3g.pdf pdf_icon

MBT3904DW1T3G

MBT3904DW1, MBT3904DW2, SMBT3904DW1, NSVMBT3904DW1 Dual General Purpose www.onsemi.com Transistors MARKING The MBT3904DW1 and MBT3904DW2 devices are a spin-off of DIAGRAM our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for 6 general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363 SOT-363/SC-88/ six-leaded surface mount package. By putting two discrete de

 0.2. Size:554K  lrc
 lmbt3904dw1t1g lmbt3904dw1t3g.pdf pdf_icon

MBT3904DW1T3G

LMBT3904DW1T1G S-LMBT3904DW1T1G General Purpose Transistors NPN Silicon 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SC88(SOT-363) qualified and PPAP capable. Low VCE(sat), 0.4 V Simplifi

 3.1. Size:908K  onsemi
 smbt3904dw1t1g mbt3904dw.pdf pdf_icon

MBT3904DW1T3G

MBT3904DW1T1G, MBT3904DW2T1G, SMBT3904DW1T1G Dual General Purpose Transistors http //onsemi.com The MBT3904DW1T1G and MBT3904DW2T1G devices are a spin-off of our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is MARKING designed for general purpose amplifier applications and is housed in DIAGRAM the SOT-363 six-leaded surface mount package. By putting two 6 discrete devices in one

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: M8050-D, M8050S, M8550S, MA42, MA92, MAG9413, MBT2222ADW1T1G, MBT35200MT1G, 2N5401, MBT3906DW1T2G, MBT3946DW1T2G, MBT6517LT1, MBTA06LT1, RT3A66M, RT3A77M, RT3C66M, RT3C77M