Справочник транзисторов. MBT3904DW1T3G

 

Биполярный транзистор MBT3904DW1T3G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MBT3904DW1T3G
   Маркировка: MA
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-363
 

 Аналог (замена) для MBT3904DW1T3G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MBT3904DW1T3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  onsemi
mbt3904dw1t3g.pdfpdf_icon

MBT3904DW1T3G

MBT3904DW1,MBT3904DW2,SMBT3904DW1,NSVMBT3904DW1Dual General Purposewww.onsemi.comTransistorsMARKINGThe MBT3904DW1 and MBT3904DW2 devices are a spin-off ofDIAGRAMour popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for6general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363SOT-363/SC-88/six-leaded surface mount package. By putting two discrete de

 0.1. Size:100K  onsemi
nsvmbt3904dw1t3g.pdfpdf_icon

MBT3904DW1T3G

MBT3904DW1,MBT3904DW2,SMBT3904DW1,NSVMBT3904DW1Dual General Purposewww.onsemi.comTransistorsMARKINGThe MBT3904DW1 and MBT3904DW2 devices are a spin-off ofDIAGRAMour popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for6general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363SOT-363/SC-88/six-leaded surface mount package. By putting two discrete de

 0.2. Size:554K  lrc
lmbt3904dw1t1g lmbt3904dw1t3g.pdfpdf_icon

MBT3904DW1T3G

LMBT3904DW1T1GS-LMBT3904DW1T1GGeneral Purpose Transistors NPN Silicon1. FEATURESWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101SC88(SOT-363) qualified and PPAP capable.Low VCE(sat), 0.4 VSimplifi

 3.1. Size:908K  onsemi
smbt3904dw1t1g mbt3904dw.pdfpdf_icon

MBT3904DW1T3G

MBT3904DW1T1G,MBT3904DW2T1G,SMBT3904DW1T1GDual General PurposeTransistorshttp://onsemi.comThe MBT3904DW1T1G and MBT3904DW2T1G devices are aspin-off of our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It isMARKINGdesigned for general purpose amplifier applications and is housed inDIAGRAMthe SOT-363 six-leaded surface mount package. By putting two6discrete devices in one

Другие транзисторы... M8050-D , M8050S , M8550S , MA42 , MA92 , MAG9413 , MBT2222ADW1T1G , MBT35200MT1G , TIP41 , MBT3906DW1T2G , MBT3946DW1T2G , MBT6517LT1 , MBTA06LT1 , RT3A66M , RT3A77M , RT3C66M , RT3C77M .

 

 
Back to Top

 


 
.