RT3A77M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3A77M

Маркировка: A77

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для RT3A77M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3A77M даташит

 ..1. Size:121K  isahaya
 rt3a77m.pdf pdf_icon

RT3A77M

PRELIMINARY PRELIMINARY RT3A77M Notice This is not a final specification Some parametric are subject to change. Composite Transistor For General Purpose High Current Drive Application Silicon PNP Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3A77M is compound transistor built with two 2.1 1.25 2SA2166 chips in SC-88 package. FEATURE High collector

Другие транзисторы: MBT2222ADW1T1G, MBT35200MT1G, MBT3904DW1T3G, MBT3906DW1T2G, MBT3946DW1T2G, MBT6517LT1, MBTA06LT1, RT3A66M, S8050, RT3C66M, RT3C77M, RT3CLLM, RT3CRRM, RT3CXXM, PBSM5240PF, PBSM5240PFH, PBSS2540MB