Справочник транзисторов. PBSS4021NZ

 

Биполярный транзистор PBSS4021NZ Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS4021NZ
   Маркировка: PB4021NZ
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 95 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: SOT-223
 

 Аналог (замена) для PBSS4021NZ

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4021NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  philips
 pbss4021nz.pdf pdf_icon

PBSS4021NZ

PBSS4021NZ20 V, 8 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4021PZ.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage VCE

 ..2. Size:190K  nxp
 pbss4021nz.pdf pdf_icon

PBSS4021NZ

PBSS4021NZ20 V, 8 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4021PZ.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage VCE

 5.1. Size:196K  philips
 pbss4021nx.pdf pdf_icon

PBSS4021NZ

PBSS4021NX20 V, 7 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 1 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4021PX.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation

 5.2. Size:176K  philips
 pbss4021nt.pdf pdf_icon

PBSS4021NZ

PBSS4021NT20 V, 4.3 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4021PT.1.2 Features Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat High col

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... RT3CRRM , RT3CXXM , PBSM5240PF , PBSM5240PFH , PBSS2540MB , PBSS3515MB , PBSS3540MB , PBSS4021NX , BC557 , PBSS4021PX , PBSS4021PZ , PBSS4021SN , PBSS4021SP , PBSS4021SPN , PBSS4032NX , PBSS4032NZ , PBSS4032PX .

 

 
Back to Top

 


 
.