Биполярный транзистор PBSS4032PZ Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBSS4032PZ
Маркировка: PB4032PZ
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT-223
- подбор биполярного транзистора по параметрам
PBSS4032PZ Datasheet (PDF)
pbss4032pz.pdf

PBSS4032PZ30 V, 4.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4032NZ.1.2 Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
pbss4032pz.pdf

PBSS4032PZ30 V, 4.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4032NZ.1.2 Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
pbss4032pd.pdf

PBSS4032PD30 V, 2.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 27 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4032ND.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized switc
pbss4032pt.pdf

PBSS4032PT30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 18 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4032NT.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized sw
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: PN4142 | SGSIF444 | ZXTN4004K | CHDTA123JUGP | BD451 | NTE2405
History: PN4142 | SGSIF444 | ZXTN4004K | CHDTA123JUGP | BD451 | NTE2405



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320