PBSS4032PZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBSS4032PZ

Маркировка: PB4032PZ

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT-223

 Аналоги (замена) для PBSS4032PZ

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4032PZ даташит

 ..1. Size:190K  philips
 pbss4032pz.pdf pdf_icon

PBSS4032PZ

PBSS4032PZ 30 V, 4.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 31 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4032NZ. 1.2 Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

 ..2. Size:191K  nxp
 pbss4032pz.pdf pdf_icon

PBSS4032PZ

PBSS4032PZ 30 V, 4.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 31 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4032NZ. 1.2 Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

 5.1. Size:182K  philips
 pbss4032pd.pdf pdf_icon

PBSS4032PZ

PBSS4032PD 30 V, 2.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 27 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4032ND. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized switc

 5.2. Size:172K  philips
 pbss4032pt.pdf pdf_icon

PBSS4032PZ

PBSS4032PT 30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 18 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4032NT. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized sw

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS4021PX, PBSS4021PZ, PBSS4021SN, PBSS4021SP, PBSS4021SPN, PBSS4032NX, PBSS4032NZ, PBSS4032PX, A733, PBSS4032SN, PBSS4032SP, PBSS4032SPN, PBSS4041NX, PBSS4041NZ, PBSS4041PX, PBSS4041PZ, PBSS4041SN