Биполярный транзистор PBSS4032SPN - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PBSS4032SPN
Маркировка: 4032SPN
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
Корпус транзистора: SO-8
Аналоги (замена) для PBSS4032SPN
PBSS4032SPN Datasheet (PDF)
pbss4032spn.pdf
PBSS4032SPN30 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 2 14 October 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number Package NPN/NPN PNP/PNP complement complementNXP NamePBSS
pbss4032spn.pdf
PBSS4032SPN30 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 2 14 October 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number Package NPN/NPN PNP/PNP complement complementNXP NamePBSS
pbss4032sp.pdf
PBSS4032SP30 V, 4.8 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 2 13 October 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number Package NPN/NPN NPN/PNP complement complementNXP Name
pbss4032sp.pdf
PBSS4032SP30 V, 4.8 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 2 13 October 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number Package NPN/NPN NPN/PNP complement complementNXP Name
pbss4032sn.pdf
PBSS4032SN30 V, 5.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 2 13 October 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number Package PNP/PNP NPN/PNP complement complementNXP Name
pbss4032sn.pdf
PBSS4032SN30 V, 5.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 2 13 October 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number Package PNP/PNP NPN/PNP complement complementNXP Name
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050