Справочник транзисторов. PBSS4041NZ

 

Биполярный транзистор PBSS4041NZ Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS4041NZ
   Маркировка: PB4041NZ
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 105 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT-223
 

 Аналог (замена) для PBSS4041NZ

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4041NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  philips
pbss4041nz.pdfpdf_icon

PBSS4041NZ

PBSS4041NZ60 V, 7 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4041PZ.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage VCE

 ..2. Size:201K  nxp
pbss4041nz.pdfpdf_icon

PBSS4041NZ

PBSS4041NZ60 V, 7 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 2 8 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBSS4041PZ.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation High

 5.1. Size:180K  philips
pbss4041nt.pdfpdf_icon

PBSS4041NZ

PBSS4041NT60 V, 3.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4041PT.1.2 Features Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat High col

 5.2. Size:194K  philips
pbss4041nx.pdfpdf_icon

PBSS4041NZ

PBSS4041NX60 V, 6.2 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 1 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4041PX.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturati

Другие транзисторы... PBSS4032NX , PBSS4032NZ , PBSS4032PX , PBSS4032PZ , PBSS4032SN , PBSS4032SP , PBSS4032SPN , PBSS4041NX , TIP35C , PBSS4041PX , PBSS4041PZ , PBSS4041SN , PBSS4041SP , PBSS4041SPN , PBSS4112PAN , PBSS4112PANP , PBSS4130PAN .

History: CH837UPNGP | SF127C

 

 
Back to Top

 


 
.