Биполярный транзистор PBSS4041NZ - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PBSS4041NZ
Маркировка: PB4041NZ
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 105 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT-223
Аналоги (замена) для PBSS4041NZ
PBSS4041NZ Datasheet (PDF)
pbss4041nz.pdf
PBSS4041NZ60 V, 7 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4041PZ.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage VCE
pbss4041nz.pdf
PBSS4041NZ60 V, 7 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 2 8 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBSS4041PZ.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation High
pbss4041nt.pdf
PBSS4041NT60 V, 3.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4041PT.1.2 Features Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat High col
pbss4041nx.pdf
PBSS4041NX60 V, 6.2 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 1 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4041PX.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturati
pbss4041nx.pdf
PBSS4041NX60 V, 6.2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor10 October 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium powerand flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNPcomplement: PBSS4041PX.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation volt
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
