Биполярный транзистор PBSS4130PANP Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBSS4130PANP
Маркировка: 2F
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: SOT-1118
Аналог (замена) для PBSS4130PANP
PBSS4130PANP Datasheet (PDF)
pbss4130panp.pdf

PBSS4130PANP30 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor12 December 2012 Product data sheet1. General descriptionNPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadlessmedium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN/NPN complement: PBSS4130PAN. PNP/PNP complement: PBSS5130PAP.2. Features and benefits Very low collect
pbss4130pan.pdf

PBSS4130PAN30 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor11 January 2013 Product data sheet1. General descriptionNPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadlessmedium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN/PNP complement: PBSS4130PANP. PNP/PNP complement: PBSS5130PAP.2. Features and benefits Very low collecto
pbss4130t.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D088PBSS4130T30 V, 1 ANPN low VCEsat (BISS) transistorProduct specification 2003 Nov 27Philips Semiconductors Product specification30 V, 1 APBSS4130TNPN low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsatSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High collector current capability IC and I
pbss4130qa.pdf

PBSS4130QA30 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor28 August 2013 Product data sheet1. General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visibleand solderable side pads.PNP complement: PBSS5130QA.2. Features and benefits Very low collector-emitter
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611