PBSS4160PANS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBSS4160PANS

Маркировка: 3F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT-1118D

 Аналоги (замена) для PBSS4160PANS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4160PANS даташит

 ..1. Size:280K  nxp
 pbss4160pans.pdf pdf_icon

PBSS4160PANS

PBSS4160PANS 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor 11 February 2015 Product data sheet 1. General description NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. NPN/PNP complement PBSS4160PANPS. PNP/PNP complement PBSS5160PAPS. 2.

 3.1. Size:359K  nxp
 pbss4160panp.pdf pdf_icon

PBSS4160PANS

PBSS4160PANP 60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor 14 January 2013 Product data sheet 1. General description NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/NPN complement PBSS4160PAN. PNP/PNP complement PBSS5160PAP. 2. Features and benefits Very low collecto

 3.2. Size:327K  nxp
 pbss4160panps.pdf pdf_icon

PBSS4160PANS

PBSS4160PANPS 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor 11 February 2015 Product data sheet 1. General description NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. NPN/NPN complement PBSS4160PANS. PNP/PNP complement PBSS5160PAPS. 2.

 3.3. Size:268K  nxp
 pbss4160pan.pdf pdf_icon

PBSS4160PANS

PBSS4160PAN 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor 14 January 2013 Product data sheet 1. General description NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/PNP complement PBSS4160PANP. PNP/PNP complement PBSS5160PAP. 2. Features and benefits Very low collecto

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS4112PAN, PBSS4112PANP, PBSS4130PAN, PBSS4130PANP, PBSS4130QA, PBSS4160PAN, PBSS4160PANP, PBSS4160PANPS, SS8050, PBSS4160QA, PBSS4230PAN, PBSS4230PANP, PBSS4230QA, PBSS4240X, PBSS4240Z, PBSS4260PAN, PBSS4260PANP