Справочник транзисторов. PBSS4160PANS

 

Биполярный транзистор PBSS4160PANS Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS4160PANS
   Маркировка: 3F
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SOT-1118D
 

 Аналог (замена) для PBSS4160PANS

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4160PANS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:280K  nxp
 pbss4160pans.pdf pdf_icon

PBSS4160PANS

PBSS4160PANS60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor11 February 2015 Product data sheet1. General descriptionNPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadlessmedium power DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage with visible and solderable side pads.NPN/PNP complement: PBSS4160PANPS. PNP/PNP complement: PBSS5160PAPS.2.

 3.1. Size:359K  nxp
 pbss4160panp.pdf pdf_icon

PBSS4160PANS

PBSS4160PANP60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor14 January 2013 Product data sheet1. General descriptionNPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadlessmedium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN/NPN complement: PBSS4160PAN. PNP/PNP complement: PBSS5160PAP.2. Features and benefits Very low collecto

 3.2. Size:327K  nxp
 pbss4160panps.pdf pdf_icon

PBSS4160PANS

PBSS4160PANPS60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor11 February 2015 Product data sheet1. General descriptionNPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadlessmedium power DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage with visible and solderable side pads.NPN/NPN complement: PBSS4160PANS. PNP/PNP complement: PBSS5160PAPS.2.

 3.3. Size:268K  nxp
 pbss4160pan.pdf pdf_icon

PBSS4160PANS

PBSS4160PAN60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor14 January 2013 Product data sheet1. General descriptionNPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadlessmedium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN/PNP complement: PBSS4160PANP. PNP/PNP complement: PBSS5160PAP.2. Features and benefits Very low collecto

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PBSS4112PAN , PBSS4112PANP , PBSS4130PAN , PBSS4130PANP , PBSS4130QA , PBSS4160PAN , PBSS4160PANP , PBSS4160PANPS , A1013 , PBSS4160QA , PBSS4230PAN , PBSS4230PANP , PBSS4230QA , PBSS4240X , PBSS4240Z , PBSS4260PAN , PBSS4260PANP .

History: 2SC89H

 

 
Back to Top

 


 
.