Справочник транзисторов. PBSS4160QA

 

Биполярный транзистор PBSS4160QA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS4160QA
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: SOT-1215
 

 Аналог (замена) для PBSS4160QA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4160QA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  nxp
pbss4160qa.pdfpdf_icon

PBSS4160QA

PBSS4160QA60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor23 August 2013 Product data sheet1. General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visibleand solderable side pads.PNP complement: PBSS5160QA.2. Features and benefits Very low collector-emitter

 6.1. Size:207K  philips
pbss4160ds.pdfpdf_icon

PBSS4160QA

PBSS4160DS60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 04 11 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457 (SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package.PNP/PNP complement: PBSS5160DS.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High

 6.2. Size:341K  philips
pbss4160t.pdfpdf_icon

PBSS4160QA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D088PBSS4160T60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 May 12Supersedes data of 2003 Jun 24 NXP Semiconductors Product data sheet60 V, 1 A PBSS4160TNPN low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsatSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT

 6.3. Size:258K  philips
pbss4160dpn.pdfpdf_icon

PBSS4160QA

PBSS4160DPN60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 03 11 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457 (SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability: IC

Другие транзисторы... PBSS4112PANP , PBSS4130PAN , PBSS4130PANP , PBSS4130QA , PBSS4160PAN , PBSS4160PANP , PBSS4160PANPS , PBSS4160PANS , D209L , PBSS4230PAN , PBSS4230PANP , PBSS4230QA , PBSS4240X , PBSS4240Z , PBSS4260PAN , PBSS4260PANP , PBSS4260QA .

History: BD250F | PBSS4160PANP | DDTA114WCA | BTP955J3 | BTA1774C3 | BCX76-16 | GT8001

 

 
Back to Top

 


 
.