Справочник транзисторов. PBSS4230PANP

 

Биполярный транзистор PBSS4230PANP Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS4230PANP
   Маркировка: 2J
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: SOT-1118
 

 Аналог (замена) для PBSS4230PANP

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4230PANP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  nxp
pbss4230panp.pdfpdf_icon

PBSS4230PANP

PBSS4230PANP30 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor14 December 2012 Product data sheet1. General descriptionNPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadlessmedium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN/NPN complement: PBSS4230PAN. PNP/PNP complement: PBSS5230PAP.2. Features and benefits Very low collect

 3.1. Size:247K  nxp
pbss4230pan.pdfpdf_icon

PBSS4230PANP

PBSS4230PAN30 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor14 December 2012 Product data sheet1. General descriptionNPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadlessmedium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN/PNP complement: PBSS4230PANP. PNP/PNP complement: PBSS5230PAP.2. Features and benefits Very low collect

 6.1. Size:251K  philips
pbss4230t.pdfpdf_icon

PBSS4230PANP

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D088PBSS4230T30 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2003 Sep 29NXP Semiconductors Product data sheet30 V, 2 A PBSS4230TNPN low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsatSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High collector current capability IC and ICMVC

 6.2. Size:244K  nxp
pbss4230qa.pdfpdf_icon

PBSS4230PANP

PBSS4230QA30 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor23 August 2013 Product data sheet1. General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visibleand solderable side pads.PNP complement: PBSS5230QA.2. Features and benefits Very low collector-emitter

Другие транзисторы... PBSS4130PANP , PBSS4130QA , PBSS4160PAN , PBSS4160PANP , PBSS4160PANPS , PBSS4160PANS , PBSS4160QA , PBSS4230PAN , TIP127 , PBSS4230QA , PBSS4240X , PBSS4240Z , PBSS4260PAN , PBSS4260PANP , PBSS4260QA , PBSS4330PAS , PBSS4360Z .

History: 2SC3072 | 2SA211 | PBSS4230PAN | PBSS4032SP | BD253B | 2SA489Y | BD948

 

 
Back to Top

 


 
.