PBSS4260QA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBSS4260QA

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT-1215

 Аналоги (замена) для PBSS4260QA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4260QA даташит

 ..1. Size:244K  nxp
 pbss4260qa.pdf pdf_icon

PBSS4260QA

PBSS4260QA 60 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 28 August 2013 Product data sheet 1. General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. PNP complement PBSS5260QA. 2. Features and benefits Very low collector-emitter

 6.1. Size:249K  nxp
 pbss4260pan.pdf pdf_icon

PBSS4260QA

PBSS4260PAN 60 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor 12 December 2012 Product data sheet 1. General description NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/PNP complement PBSS4260PANP. PNP/PNP complement PBSS5260PAP. 2. Features and benefits Very low collect

 6.2. Size:734K  nxp
 pbss4260pans.pdf pdf_icon

PBSS4260QA

PBSS4260PANS 60 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) double transistor 15 December 2015 Product data sheet 1. General description NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) double transistor in a leadless medium power DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. PNP/PNP complement PBSS5260PAPS 2. Features and benefits

 6.3. Size:340K  nxp
 pbss4260panp.pdf pdf_icon

PBSS4260QA

PBSS4260PANP 60 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor 12 December 2012 Product data sheet 1. General description NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/NPN complement PBSS4260PAN. PNP/PNP complement PBSS5260PAP. 2. Features and benefits Very low collect

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS4160QA, PBSS4230PAN, PBSS4230PANP, PBSS4230QA, PBSS4240X, PBSS4240Z, PBSS4260PAN, PBSS4260PANP, 2SC2655, PBSS4330PAS, PBSS4360Z, PBSS5112PAP, PBSS5130PAP, PBSS5130QA, PBSS5160PAP, PBSS5160PAPS, PBSS5160QA