KSB13003CR datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KSB13003CR 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 21 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO-92
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KSB13003CR
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KSB13003CR даташит
ksb13003cr.pdf
KSB13003CR SEMIHOW REV.A0, January 2012 KSB13003CR KSB13003CR High Voltage Switch Mode Application High voltage, High speed power switching Suitable for Electronic Ballast up to 21W 1.5 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 1.1 Watts TO-92 CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT 1. Emitter 2. Collector
ksb13003c.pdf
KSB13003C SEMIHOW REV.A0, January 2012 KSB13003C KSB13003C High Voltage Switch Mode Application High voltage, High speed power switching Suitable for Electronic Ballast up to 21W 1.5 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 1.1 Watts TO-92 CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT 1. Base 2. Collector 3. E
ksb13003ar.pdf
KSB13003AR KSB13003AR SEMIHOW REV.A2,Oct 2007 KSB130 003AR KSB13003AR High Voltage Switch Mode Application High Speed Switching Suitable for Electronic Ballast up to 21W 150 Max Operating temperature 150 Max. Operating temperature 8KV ESD proof at HBM (C=100 , R=1.5 ) 1.5 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless
ksb13003h.pdf
KSB13003H SEMIHOW REV.A0,Oct 2007 KSB13003H KSB13003H High Voltage Switch Mode Application High voltage, High speed power switching Suitable for Electronic Ballast up to 21W 1.5 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 1.1 Watts TO-92 CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT 1. Base 2. Collector 3. Emitte
Другие транзисторы: PBSS5260QA, PBSS5330PAS, PBSS5360Z, KSA614F, KSB13002AR, KSB13003A, KSB13003AR, KSB13003C, 431, KSB13003ER, KSB13003H, KSB13003HR, KSB722, KSC13003A, KSC13003H, KSD13003E, KSD13003ER
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: NST856BF3T5G | BF747 | NB123F | KRC412V | KRC822F | MMBT4403M3 | 2N3813
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z







