KSB722 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSB722  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO-126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSB722

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSB722 даташит

 ..1. Size:93K  no
ksb722.pdfpdf_icon

KSB722

PNP Transistor KSB772 datasheet www.semicon-data.de PNP Transistor KSB772 datasheet www.semicon-data.de PNP Transistor KSB772 datasheet www.semicon-data.de

Другие транзисторы: KSB13002AR, KSB13003A, KSB13003AR, KSB13003C, KSB13003CR, KSB13003ER, KSB13003H, KSB13003HR, D882P, KSC13003A, KSC13003H, KSD13003E, KSD13003ER, KSD13005A, KSD1616A-G, KSD1616A-Y, KSD1616-G