KSD13003ER datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KSD13003ER 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 21 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 9
Корпус транзистора: TO-252
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KSD13003ER
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KSD13003ER даташит
ksd13003er.pdf
KSD13003ER KSU13003ER SEMIHOW REV.A0,July 2011 KSD13003ER/KSU13003ER KSD13003ER/KSU13003ER High Voltage Switch Mode Application High Voltage, High Speed Switching Suitable for Switching regulator, Inverters motor controls 150 Max. Operating temperature 8KV ESD proof at HBM (C=100 , R=1.5 ) 1.5 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute M
ksd13003e.pdf
KSD13003E KSU13003E SEMIHOW REV.A0,July 2011 KSD13003E/KSU13003E KSD13003E/KSU13003E High Voltage Switch Mode Application High Voltage, High Speed Switching Suitable for Switching regulator, Inverters motor controls 150 Max. Operating temperature 8KV ESD proof at HBM (C=100 , R=1.5 ) 1.5 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum
ksd13005a.pdf
KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005A KSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor - High voltage, high speed power switching - Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA
ksd1362.pdf
KSD1362 B/W TV Horizontal Deflection Output Collector- Base Voltage VCBO = 150V Collector Current IC = 5A Collector Dissipation PC = 20W (TC=25 C) TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Vo
Другие транзисторы: KSB13003CR, KSB13003ER, KSB13003H, KSB13003HR, KSB722, KSC13003A, KSC13003H, KSD13003E, A42, KSD13005A, KSD1616A-G, KSD1616A-Y, KSD1616-G, KSD1616-L, KSD1616-Y, KSD471A-G, KSD471A-O
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: 2SC5663TGP | ESM2808 | NB023E | 2N3762 | STC03DE220HP | KSB13003A | RN2905AFS
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor




