Биполярный транзистор KSH5027F Даташит. Аналоги
Наименование производителя: KSH5027F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO-220F
Аналог (замена) для KSH5027F
KSH5027F Datasheet (PDF)
ksh5027f.pdf

KSH5027F SEMIHOW REV.A0,Oct 2007 KSH5027FKSH5027F High Voltage and High Reliability - High Speed Switching - Wide SOA 3 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 50 Watts TO-220F CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT 1. Base 2. Collector Collector-Base Voltage VCBO 1100 V 3. Emitter Collector-Emitter Volta
ksh5027a.pdf

KSH5027A SEMIHOW REV.A0,Oct 2007 KSH5027AKSH5027A High Voltage and High Reliability - High Speed Switching - Wide SOA 3 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 50 Watts TO-220 CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT 1. Base 2. Collector Collector-Base Voltage VCBO 1100 V 3. Emitter Collector-Emitter Voltag
ksh5027af.pdf

KSH5027AF SEMIHOW REV.A0,Oct 2007 KSH5027AFKSH5027AF High Voltage and High Reliability - High Speed Switching - Wide SOA 3 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 50 Watts TO-220F CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT 1. Base 2. Collector Collector-Base Voltage VCBO 1100 V 3. Emitter Collector-Emitter Vo
ksh5027.pdf

KSH5027 SEMIHOW REV.A0,Oct 2007 KSH5027KSH5027 High Voltage and High Reliability - High Speed Switching - Wide SOA 3 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 50 Watts TO-220 CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT 1. Base 2. Collector Collector-Base Voltage VCBO 1100 V 3. Emitter Collector-Emitter Voltage V
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SD1392 | KC860W | AUY18-5 | CHFMG2GP | SZD1733 | STN3904SF
History: 2SD1392 | KC860W | AUY18-5 | CHFMG2GP | SZD1733 | STN3904SF



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet