Справочник транзисторов. MD6002FHXV

 

Биполярный транзистор MD6002FHXV - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MD6002FHXV
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: 610A-04

 Аналоги (замена) для MD6002FHXV

 

 

MD6002FHXV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  crystaloncs
md6002fhxv md6002hx mhq6002hx mq6002hxv.pdf

MD6002FHXV
MD6002FHXV

 9.1. Size:197K  onsemi
nimd6001n nimd6001an.pdf

MD6002FHXV
MD6002FHXV

NIMD6001N, NIMD6001ANDual N-Channel Driver withDiagnostic Output60 V, 3 A, 110 mWNIMD6001N/AN is a dual 3 Amp low-side switch with anintegrated common disable input and drain diagnostic output. Pullinghttp://onsemi.comthe Disable pin low will override any applied gate voltages and turn offboth FET switches. Should either Drain-Source voltage exceed3.0 AMPERESapproximately 50

 9.2. Size:206K  onsemi
nimd6001n.pdf

MD6002FHXV
MD6002FHXV

NIMD6001N, NIMD6001ANDual N-Channel Driver withDiagnostic Output60 V, 3 A, 110 mWNIMD6001N/AN is a dual 3 Amp low-side switch with anintegrated common disable input and drain diagnostic output. Pullinghttp://onsemi.comthe Disable pin low will override any applied gate voltages and turn offboth FET switches. Should either Drain-Source voltage exceed3.0 AMPERESapproximately 50

 9.3. Size:1830K  willsemi
wnmd6003.pdf

MD6002FHXV
MD6002FHXV

WNMD6003 WNMD6003 Dual N-Channel, 60V, 0.30A, Power MOSFET Http//:www.sh-willsemi.com VDS (V) Rds(on) () 1.4@ VGS=10V 60 1.7@ VGS=4.5V ESD Rating:2000V HBM SOT-563 Descriptions The WNMD6003 is Dual N-Channel enhancem -ent MOS Field Effect Transistor. Uses advanced D1 G2 S2trench technology and design to provide excellent 6 5 4RDS (ON) with low gate charge. This d

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top