Биполярный транзистор MG6331-R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MG6331-R
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 260 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 260 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 18 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO-3P
MG6331-R Datasheet (PDF)
mg6331-r.pdf
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR MG6331, MG6331-R TO-3P Plastic Package Complimentary PNP MG9411 Designed specifically for audio power amplifier applications Highest Current audio bipolar available on the market with widest Safe Operating Area in TO-3P package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) MG6331 MG6331-R VCBO Col
mg6330-r.pdf
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR MG6330, MG6330-R TO-3P Plastic Package Complimentary PNP MG9410 Designed specifically for audio power amplifier applications High Current audio bipolar with wide Safe Operating Area ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) MG6330 MG6330-R VCBO Collector Base Voltage 230V 260V VCEO Colle
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050