Биполярный транзистор MG9410-R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MG9410-R
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 260 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 260 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO-3P
MG9410-R Datasheet (PDF)
mg9410-r.pdf
SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR MG9410, MG9410-R TO-3P Plastic Package Complimentary NPN MG6330 Designed specifically for audio power amplifier applications High Current audio bipolar with wide Safe Operating Area ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) MG9410 MG9410-R VCBO Collector Base Voltage -230V -260V VCEO Col
mg9411-r.pdf
SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR MG9411, MG9411-R TO-3P Plastic Package Complimentary NPN MG6331 Designed specifically for audio power amplifier applications Highest Current audio bipolar available on the market with widest Safe Operating Area in TO-3P package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) MG9411 MG9411-R VCBO Col
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050