MG9410-R Todos los transistores

 

MG9410-R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MG9410-R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
   Tensión colector-base (Vcb): 260 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 260 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 35 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 500 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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MG9410-R Datasheet (PDF)

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MG9410-R

SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR MG9410, MG9410-R TO-3P Plastic Package Complimentary NPN MG6330 Designed specifically for audio power amplifier applications High Current audio bipolar with wide Safe Operating Area ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) MG9410 MG9410-R VCBO Collector Base Voltage -230V -260V VCEO Col

 9.1. Size:562K  semelab
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MG9410-R

SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR MG9411, MG9411-R TO-3P Plastic Package Complimentary NPN MG6331 Designed specifically for audio power amplifier applications Highest Current audio bipolar available on the market with widest Safe Operating Area in TO-3P package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) MG9411 MG9411-R VCBO Col

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History: BD249F

 

 
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