US6X7 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: US6X7 📄📄
Маркировка: X07
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270
Корпус транзистора: TUMT6
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для US6X7
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
US6X7 даташит
us6x7.pdf
US6X7 Transistors General purpose amplification (12V, 1.5A) US6X7 Dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier Features 1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE(sat) max. 200mV at IC=500mA / IB = 25mA ROHM TUMT6 Abbreviated symbol X07 Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Equivalent circuit Parameter Symbol Li
Другие транзисторы: MHQ2369HX, MHQ2484HX, MHQ3251AHX, MHQ3468HX, MHQ6002HX, MHQ918HX, US6T8, US6T9, 2N2907, US6X8, UT3PP, UTV020, UTV040, VT6T1, VT6T11, VT6T12, VT6T2
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: BF757BA | 2SC4710 | MMUN2135 | BFV76N | CS6305A | KRC422E | KSR1007
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516

