US6X8 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: US6X8 📄📄
Маркировка: X08
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270
Корпус транзистора: TUMT6
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для US6X8
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
US6X8 даташит
us6x8.pdf
US6X8 Transistors General purpose amplification (30V, 1A) US6X8 Dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier Features 1) Collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE (sat) max. 350mV at Ic= 500mA / IB= 25mA ROHM TUMT6 Abbreviated symbol X08 Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Equivalent Circuit Parameter Symbol Lim
Другие транзисторы: MHQ2484HX, MHQ3251AHX, MHQ3468HX, MHQ6002HX, MHQ918HX, US6T8, US6T9, US6X7, MPSA42, UT3PP, UTV020, UTV040, VT6T1, VT6T11, VT6T12, VT6T2, VT6X1
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: UN9110Q | WBW3320 | BFV11 | UN9215Q | KRX209U | BFW75 | RN2103
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent

