Биполярный транзистор VT6T2 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: VT6T2
Маркировка: T2
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: VMT6
VT6T2 Datasheet (PDF)
..1. Size:1227K rohm
vt6t2.pdf
vt6t2.pdf
VT6T2 / EMT52DatasheetGeneral purpose transister (isolated dual transistors)lOutlinelParameter Tr1 and Tr2 VMT6 EMT6VCEO-50VIC-100mA VT6T2 EMT52(SC-107C) lFeatures lInner circuitl l1) General Purpose.2) Two 2SAR523 chips in one package.3) Transiste
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050