VT6T2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VT6T2  📄📄 

Маркировка: T2

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: VMT6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для VT6T2

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

VT6T2 даташит

 ..1. Size:1227K  rohm
 vt6t2.pdf pdf_icon

VT6T2

VT6T2 / EMT52 Datasheet General purpose transister (isolated dual transistors) lOutline l Parameter Tr1 and Tr2 VMT6 EMT6 VCEO -50V IC -100mA VT6T2 EMT52 (SC-107C) lFeatures lInner circuit l l 1) General Purpose. 2) Two 2SAR523 chips in one package. 3) Transiste

Другие транзисторы: US6X7, US6X8, UT3PP, UTV020, UTV040, VT6T1, VT6T11, VT6T12, BD136, VT6X1, VT6X11, VT6X12, VT6X2, VT6Z1, VT6Z2, WBD13003D, WBN13002