VT6X2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VT6X2  📄📄 

Маркировка: X2

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: VMT6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для VT6X2

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

VT6X2 даташит

 ..1. Size:1214K  rohm
 vt6x2.pdf pdf_icon

VT6X2

VT6X2 / EMX52 Datasheet Power management (dual transistors) lOutline l Parameter Tr1 and Tr2 VMT6 EMT6 VCEO 50V IC 100mA VT6X2 EMX52 (SC-107C) lFeatures lInner circuit l l 1) General Purpose. 2) Two 2SCR523 chips in one package. 3) Transister elements are indepe

 ..2. Size:1216K  rohm
 vt6x2 emx52.pdf pdf_icon

VT6X2

VT6X2 / EMX52 Datasheet Power management (dual transistors) lOutline l Parameter Tr1 and Tr2 VMT6 EMT6 VCEO 50V IC 100mA VT6X2 EMX52 (SC-107C) lFeatures lInner circuit l l 1) General Purpose. 2) Two 2SCR523 chips in one package. 3) Transister elements are indepe

Другие транзисторы: UTV040, VT6T1, VT6T11, VT6T12, VT6T2, VT6X1, VT6X11, VT6X12, D667, VT6Z1, VT6Z2, WBD13003D, WBN13002, WBN13002LD, WBN13003A1, WBN13003B, WBN13003B2D