Биполярный транзистор VT6X2 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: VT6X2
Маркировка: X2
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: VMT6
VT6X2 Datasheet (PDF)
vt6x2.pdf
VT6X2 / EMX52DatasheetPower management (dual transistors)lOutlinelParameter Tr1 and Tr2 VMT6 EMT6VCEO50VIC100mA VT6X2 EMX52(SC-107C) lFeatures lInner circuitl l1) General Purpose.2) Two 2SCR523 chips in one package.3) Transister elements are indepe
vt6x2 emx52.pdf
VT6X2 / EMX52DatasheetPower management (dual transistors)lOutlinelParameter Tr1 and Tr2 VMT6 EMT6VCEO50VIC100mA VT6X2 EMX52(SC-107C) lFeatures lInner circuitl l1) General Purpose.2) Two 2SCR523 chips in one package.3) Transister elements are indepe
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050