VT6Z1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VT6Z1  📄📄 

Маркировка: Z1

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: VMT6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для VT6Z1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

VT6Z1 даташит

 ..1. Size:154K  rohm
 vt6z1.pdf pdf_icon

VT6Z1

Power management (dual transistors) VT6Z1 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon epitaxial planar transistor VMT6 0.5 0.1 1.2 0.1 (6) (5) (4) Features 0 0.05 Very small package with two transistors. (1) (2) (3) 0.16 0.05 0.13 0.05 0.4 0.4 0.8 0.1 Applications Switch, LED driver Abbreviated symbol Z1 UNIT mm Each lead has same dimensions. P

Другие транзисторы: VT6T1, VT6T11, VT6T12, VT6T2, VT6X1, VT6X11, VT6X12, VT6X2, BD333, VT6Z2, WBD13003D, WBN13002, WBN13002LD, WBN13003A1, WBN13003B, WBN13003B2D, WBP13003D