VT6Z2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VT6Z2  📄📄 

Маркировка: Z2

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: VMT6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для VT6Z2

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

VT6Z2 даташит

 ..1. Size:1876K  rohm
 vt6z2.pdf pdf_icon

VT6Z2

VT6Z2 Datasheet Power management (dual transistors) lOutline l Parameter Value VCEO -50V IC -100mA VMT6 Parameter Value VCEO 50V IC 100mA lFeatures lInner circuit l l 1) General Purpose. 2) 2SCR523 and 2SAR523 chips in one package. 3) Transister elements are independent, eliminating interface. 4) Mounting cost and area can be cut in half. l

Другие транзисторы: VT6T11, VT6T12, VT6T2, VT6X1, VT6X11, VT6X12, VT6X2, VT6Z1, BDT88, WBD13003D, WBN13002, WBN13002LD, WBN13003A1, WBN13003B, WBN13003B2D, WBP13003D, WBP13005D