Биполярный транзистор WBP3308 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: WBP3308
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO-220
WBP3308 Datasheet (PDF)
wbp3308.pdf
WBP3308WBP3308WBP3308WBP3308High Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeatures Very high switching speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, Highspeed switching characteristics required such aslighting system, switching mode power supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter Test
wbp3306.pdf
WBP3306WBP3306WBP3306WBP3306High Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeatures Very high switching speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, Highspeed switching characteristics required such aslighting system, switching mode power supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter Test
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050