WBW3320 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WBW3320  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO-3P

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для WBW3320

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

WBW3320 даташит

 ..1. Size:532K  winsemi
 wbw3320.pdf pdf_icon

WBW3320

WBW3320 WBW3320 WBW3320 WBW3320 High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor Features Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA TO3P TO3P TO3P TO3P WBW3320 WBW3320 WBW3320 WBW3320 Gene

Другие транзисторы: WBR13003B2D, WBR13003B3, WBR13003D, WBR13003D1, WBR13003L2, WBR13003LD, WBR13003X, WBR13005D1, BC557, UML1N, UML23N, UML2N, UML4N, UML6N, UMT18N, UMT1NFHA, UMT2NFHA