UML1N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UML1N  📄📄 

Маркировка: L10

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT-353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UML1N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UML1N даташит

 ..1. Size:61K  rohm
 uml1n.pdf pdf_icon

UML1N

UML1N Transistors Low-frequency transistor UML1N External dimensions (Unit mm) Features 1) The 2SA1037AK and a diode are housed independently UMT5 in a UMT package. 2.0 1.3 0.9 0.65 0.65 0.7 Equivalent circuit (6) (4) (1) (2) (3) (3) (2) (1) 0.2 0.15 Di Tr Each lead has same dimensions (4) (5) Packaging specifications Type FML10 Package SMT5 Marking L10

 ..2. Size:27K  rohm
 uml1n l1 sot353.pdf pdf_icon

UML1N

Transistors UML1N (SPEC-UML1N) 593

Другие транзисторы: WBR13003B3, WBR13003D, WBR13003D1, WBR13003L2, WBR13003LD, WBR13003X, WBR13005D1, WBW3320, TIP42C, UML23N, UML2N, UML4N, UML6N, UMT18N, UMT1NFHA, UMT2NFHA, UMT4401