Биполярный транзистор UMT2NFHA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMT2NFHA
Маркировка: T2
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT-363
UMT2NFHA Datasheet (PDF)
umt2nfha.pdf
EMT2FHA / UMT2NFHA / IMT2AFRAEMT2 / UMT2N / IMT2A TransistorsAEC-Q101 QualifiedGeneral purpose (dual transistors) EMT2 / UMT2N / IMT2A EMT2FHA / UMT2NFHA / IMT2AFRA External dimensions (Unit : mm) Features2SA1037AKFRA1) Two 2SA1037AK chips in a EMT or UMT or SMT package. EMT2FHAEMT2(4) (3)( ) ( )5 2(6) (1)1.2 Equivalent circuits1.6EMT2FHA / UMT2NFHA IMT2
emt2fha umt2nfha imt2afra.pdf
EMT2FHA / UMT2NFHA / IMT2AFRAEMT2 / UMT2N / IMT2A TransistorsAEC-Q101 QualifiedGeneral purpose (dual transistors) EMT2 / UMT2N / IMT2A EMT2FHA / UMT2NFHA / IMT2AFRA External dimensions (Unit : mm) Features2SA1037AKFRA1) Two 2SA1037AK chips in a EMT or UMT or SMT package. EMT2FHAEMT2(4) (3)( ) ( )5 2(6) (1)1.2 Equivalent circuits1.6EMT2FHA / UMT2NFHA IMT2
emt2 umt2n imt2a.pdf
EMT2 / UMT2N / IMT2ADatasheetGeneral purpose transistor (dual transistors)lOutlinelParameter Tr1 and Tr2 EMT6 UMT6VCEO-50VIC-150mA EMT2 UMT2NSOT-563 SOT-363 SMT6lFeaturesl1) Two 2SA1037AK chips in a EMT, UMT or SMT package.IMT2A2) Mounting possible with EMT3, UMT3 or SMT3SOT-457
umt2n imt2a t2 sot363 sot23-6.pdf
UMS2N / UMT2N / FMS2A / IMT2A / IMT3ATransistorsTransistorsUMW2N / UMX2N / UMX3N / FMW2 / IMX2 / IMX3(94S-366-A032)(96-427-C022)595
umt2n.pdf
SMD Type TransistorsPNP TransistorsUMT2N Features Collector Current Capability IC=-150mA Collector Emitter Voltage VCEO=-50V Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Collector - Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter - Base Voltage VEBO -6 Collector Current - Continuous IC -150 mA Collector Power Dissipat
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050