Справочник транзисторов. UMX1NFHA

 

Биполярный транзистор UMX1NFHA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UMX1NFHA
   Маркировка: X1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT-363
 

 Аналог (замена) для UMX1NFHA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMX1NFHA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:967K  rohm
umx1nfha.pdfpdf_icon

UMX1NFHA

EMX1FHA / UMX1NFHA / IMX1AEC-Q101 Qualified EMX1FHA / UMX1NFHA / IMX1

 9.1. Size:92K  rohm
emx1 umx1n imx1 umx1n.pdfpdf_icon

UMX1NFHA

EMX1 / UMX1N / IMX1TransistorsGeneral purpose transistors(dual transistors)EMX1 / UMX1N / IMX1 Features External dimensions (Units : mm)1) Two 2SC2412K chips in a EMT or UMT or SMTEMX1package.(4) (3)2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3(5) (2)(6) (1)1.2automatic mounting machines.1.63) Transistor elements are independent, eliminating interference.Eac

 9.2. Size:1977K  rohm
emx1 umx1n imx1.pdfpdf_icon

UMX1NFHA

EMX1 / UMX1N / IMX1DatasheetGeneral purpose transistor (dual transistors)lOutlinelParameter Tr1 and Tr2 SOT-563 SOT-363VCEO50VIC150mA EMX1 UMX1N(EMT6) (UMT6) SOT-457 lFeaturesl1) Two 2SC2412K chips in a EMT, UMT or SMT package. IMX12) Mounting p

 9.3. Size:112K  rohm
umx1n imx1 x1 sot23-6 sot363.pdfpdf_icon

UMX1NFHA

TransistorsGeneral purpose transistor (dual transistors)UMX1N / IMX1FFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two 2SC2412K chips in a UMT orSMT package.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.4) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typeNP

Другие транзисторы... UML2N , UML4N , UML6N , UMT18N , UMT1NFHA , UMT2NFHA , UMT4401 , UMT4403 , 2SC4793 , UMX21N , UMX2NFHA , UMX3NFHA , UMZ1M , UMZ1NFHA , UMZ1NT1G , UMZ2NFHA , US5L10 .

 

 
Back to Top

 


 
.