Биполярный транзистор UMX3NFHA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMX3NFHA
Маркировка: X3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT-363
UMX3NFHA Datasheet (PDF)
umx3nfha.pdf
AEC-Q101 QualifiedGeneral purpose (dual transistors) EMX3 / UMX3N / IMX3 EMX3FHA / UMX3NFHA / IMX3FRAFeatures Dimensions (Unit : mm) Two 2SC2412AK chips in a EMT or UMT or SMT package. EMX3EMX3FHA( ) ( )4 3( ) ( )5 2Inner circuits( ) ( )6 11.21.6EMX3FHA / UMX3NFHA IMX3FRAEMX3 / UMX3N IMX3(3) (2) (1) (4) (5) (6)Tr2 Tr2Tr1 Tr1ROHM : EMT6 Each le
emx3fha umx3nfha imx3fra.pdf
AEC-Q101 QualifiedGeneral purpose (dual transistors) EMX3 / UMX3N / IMX3 EMX3FHA / UMX3NFHA / IMX3FRAFeatures Dimensions (Unit : mm) Two 2SC2412AK chips in a EMT or UMT or SMT package. EMX3EMX3FHA( ) ( )4 3( ) ( )5 2Inner circuits( ) ( )6 11.21.6EMX3FHA / UMX3NFHA IMX3FRAEMX3 / UMX3N IMX3(3) (2) (1) (4) (5) (6)Tr2 Tr2Tr1 Tr1ROHM : EMT6 Each le
emx3 umx3n imx3.pdf
EMX3 / UMX3N / IMX3 Transistors General purpose (dual transistors) EMX3 / UMX3N / IMX3 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Two 2SC2412AK chips in a EMT or UMT or SMT EMX3package. (4) ( )3 (5) (2)(6) ( )1 Equivalent circuits 1.21.6EMX3 / UMX3N IMX3(3) (2) (1) (4) (5) (6)Tr2 Tr2Tr1 Tr1ROHM : EMT6 Each lead has same dimensions(4) (5) (6) (3) (
umx3n.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors UMX3N DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) SOT-363 FEATURES Two 2SC2412K chips in a packageMAKING: X3 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050