Биполярный транзистор US5L10 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: US5L10
Маркировка: L10
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
Корпус транзистора: TUMT5
US5L10 Datasheet (PDF)
us5l10.pdf
US5L10Transistors General purpose transistor (isolated transistor and diode) US5L10 A 2SD2674 and a RB461F are housed independently in a TUMT5 package. Dimensions (Unit : mm) Applications DC / DC converter Motor driver 2.01.3 Features 1) Tr : Low VCE(sat) Di : Low VF 2) Small package ROHM:TUMT5 Abbreviated symbol:L10 Structure Silicon epitaxial planar trans
us5l12.pdf
US5L12 Transistors General purpose transistor (isolated transistor and diode) US5L12 A 2SD2675 and a RB461F are housed independently in a TUMT5 package. External dimensions (Unit : mm) Applications DC / DC converter (4) (3)Motor driver (2)(5) (1)0.2 1.7 0.21pin mark2.1 Features 1) Tr : Low VCE(sat) Di : Low VF 0.15Max.2) Small package ROHM :TUMT5 Abbr
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050