FHD150 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FHD150  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: TO-3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FHD150

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FHD150 даташит

 ..1. Size:116K  china
 fhd150.pdf pdf_icon

FHD150

FHD150 NPN B C D E F G PCM Tc=25 150 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=2mA 50 100 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=2mA 50 100 150 200 250 300 V ICBO VCB=20V 2.0 mA ICEO VCE=20V 2.0 mA VBEsat 3.0 V

 0.1. Size:763K  feihonltd
 fhd150n03b.pdf pdf_icon

FHD150

N N-CHANNEL MOSFET FHD150N03B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 150 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 405pF) Low Crss (typical 405pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.2m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 2.8m 100% 100% avalanche tested Qg-typ

 0.2. Size:1222K  feihonltd
 fhp150n03a fhs150n03a fhd150n03a.pdf pdf_icon

FHD150

N N-CHANNEL MOSFET FHP150N03A/FHS150N03A/FHD150N03A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 150 A Low gate charge VDSS 30V Crss ( 314pF) Low Crss (typical 314pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.5m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 3.2m 100% 100% avalanc

 9.1. Size:243K  feihonltd
 fhd15n10a.pdf pdf_icon

FHD150

5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FHD020, FHD030, FHD050, FHD075, FHD100, FHD11032, FHD122, FHD128B, 2SC2240, FHD228G, FHD30, FHD4035, FHD491, FHD50, FHD6058, FHD651, FHD70