FJB5555 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FJB5555  📄📄 

Маркировка: J5555

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1050 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 14 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO-263

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FJB5555

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJB5555 даташит

 ..1. Size:149K  fairchild semi
 fjb5555.pdf pdf_icon

FJB5555

February 2012 FJB5555 NPN Silicon Transistor Features High Voltage Switch Mode Application Fast Speed Switching Wide Safe Operating Area Suitable for Electronic Ballast Application 1 D2-PAK 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings* Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units BVCBO Collector-Base Voltage 1050 V BVCEO Collector-Emitter

 ..2. Size:314K  onsemi
 fjb5555.pdf pdf_icon

FJB5555

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие транзисторы: FHD30, FHD4035, FHD491, FHD50, FHD6058, FHD651, FHD70, FHD8766, 2SC828, FJL6920, DMA30401, DMA90401, DMC30401, DMC90401, DMC904F0, DMC904F1, DME20101