FJL6920 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: FJL6920 📄📄
Маркировка: J6920
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5.5
Корпус транзистора: TO-264
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для FJL6920
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
FJL6920 даташит
fjl6920.pdf
FJL6920 High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output High Collector-Base Breakdown Voltage BVCBO = 1700V Low Saturation Voltage VCE(sat) = 3V (Max.) For Color Monitor 1 TO-264 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Rating Units VCBO Collector-Bas
fjl6920.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
fjl6920.pdf
SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor FJL6920 DESCRIPTION High Switching Speed High Breakdown Voltage- V = 1700V(Min) (BR)CBO APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1700 V CBO V Collector-Emitter Voltage 800 V CEO V Emitter-Ba
fjl6920t7tl.pdf
FJL6920T7TL Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION High Switching Speed High Breakdown Voltage- V = 1700V(Min) (BR)CBO APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1700 V CBO V Collector-Emitter Voltage 800 V CEO V Emitter-Base Voltage 6 V EBO I Collector
Другие транзисторы: FHD4035, FHD491, FHD50, FHD6058, FHD651, FHD70, FHD8766, FJB5555, 431, DMA30401, DMA90401, DMC30401, DMC90401, DMC904F0, DMC904F1, DME20101, DME20102
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: 2SD376A | MMBT4403M3 | KRC412V | BF747 | NB123F | KRC822F | 2N3813
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor




