DMA90401 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DMA90401 📄📄
Маркировка: A7
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 210
Корпус транзистора: SSSMINI6-F3-B
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для DMA90401
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DMA90401 даташит
dma90401.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DMA90401 Silicon PNP epitaxial planar type For general amplification DMA50401 in SSMini6 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SSMini6-F3-B Contributes to miniaturization of sets, reductio
fdma908pz.pdf
February 2014 FDMA908PZ Single P-Channel PowerTrench MOSFET -12 V, -12 A, 12.5 m Features Max rDS(on) = 12.5 m at VGS = -4.5 V, ID = -12 A General Description Max rDS(on) = 18 m at VGS = -2.5 V, ID = -10 A This device is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultraportable applications. Max rDS(on) = 28 m at VGS = -1.8 V,
fdma905p.pdf
June 2014 FDMA905P Single P-Channel PowerTrench MOSFET -12 V, -10 A, 16 m Features General Description Max rDS(on) = 16 m at VGS = -4.5 V, ID = -10 A This device is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultraportable Max rDS(on) = 21 m at VGS = -2.5 V, ID = -8.9 A applications. It features a MOSFET with low on-state resista
fdma908pz.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие транзисторы: FHD50, FHD6058, FHD651, FHD70, FHD8766, FJB5555, FJL6920, DMA30401, TIP32C, DMC30401, DMC90401, DMC904F0, DMC904F1, DME20101, DME20102, DME20501, DME20B01
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: 2N3666 | KRX202E | 2SA1553R | BFV86C | MUN5130T1G | 2SA1615-Z | NB024FT
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet






