DMG21401 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DMG21401 📄📄
Маркировка: T6
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 210
Корпус транзистора: SOT-457
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для DMG21401
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DMG21401 даташит
dmg21401.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DMG21401 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2) For general amplification Package Features Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Code Eco-friendly Halogen-free package Mini6-G4-B Pin Name Basic Part Number 1 Emitter (
Другие транзисторы: DMC90401, DMC904F0, DMC904F1, DME20101, DME20102, DME20501, DME20B01, DME20C01, BD222, DMG50401, DMG90401, DMMT2907A, DMMT3904, DMR935E1, DMS935E1, DMS935E2, DTA114WCA
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: GD175B | 2SD1117 | BFW59 | RN4904FE | 2SA509G | UN521E | MUN5137DW1T1G
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792

