DMS935E2 - описание и поиск аналогов

 

DMS935E2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMS935E2

Маркировка: X1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1300 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-666

 Аналоги (замена) для DMS935E2

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DMS935E2 даташит

 ..1. Size:747K  panasonic
 dms935e2.pdf pdf_icon

DMS935E2

DMS935E2 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr) Silicon epitaxial planar type (CCD load device) For CCD output circuits Unit mm DSC2G03 + CCD load device (Individual) Features Two elements incorporated into one package (Tr + CCD load device) High transition frequency fT Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) Marking Symbol X

 7.1. Size:704K  panasonic
 dms935e1.pdf pdf_icon

DMS935E2

DMS935E1 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr) Silicon epitaxial planar type (CCD load device) For CCD output circuits Unit mm DSC2G03 + CCD load device (Individual) Features Two elements incorporated into one package (Tr + CCD load device) High transition frequency fT Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) Marking Symbol X

Другие транзисторы... DME20C01 , DMG21401 , DMG50401 , DMG90401 , DMMT2907A , DMMT3904 , DMR935E1 , DMS935E1 , 2N5551 , DTA114WCA , EMF23 , EMF24 , EMF5 , FJP13009H2TU , FJP1943 , FJP2145 , FJP2160D .

History: 2STD1665

 

 

 


 
↑ Back to Top
.