EMF5 - описание и поиск аналогов

 

EMF5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EMF5

Маркировка: F5

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: SOT-563

 Аналоги (замена) для EMF5

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMF5 даташит

 ..1. Size:84K  rohm
emf5.pdfpdf_icon

EMF5

EMF5 Transistors Power management (dual transistors) EMF5 2SA2018 and DTC144EE are housed independently in a EMT6 package. Application Dimensions (Units mm) Power management circuit Features (4) ( ) 3 1) Power switching circuit in a single package. (5) (2) 2) Mounting cost and area can be cut in half. (6) (1) 1.2 1.6 Structure Silicon epitaxial planar transi

 ..2. Size:529K  htsemi
emf5.pdfpdf_icon

EMF5

EMF5 General purpose transistors (dual transistors) FEATURES 2SA2018 and DTC144E are housed independently in a package. SOT-563 Mounting possible with SOT-563 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area be cut in half. 1 Marking F5 (3) (2) (1) Equivalent circuit DTr2 Tr1 R1 R2 (4) (5) (6) T

 0.1. Size:69K  onsemi
emf5xv6t5-d emf5xv6 emf5xv6t5g.pdfpdf_icon

EMF5

EMF5XV6T5 Preferred Devices Power Management, Dual Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network http //onsemi.com Features Simplifies Circuit Design (3) (2) (1) Reduces Board Space Reduces Component Count Q1 These are Pb-Free Devices Q2 MAXIMUM RATINGS R2 R1 Rating Symbol Value Unit (4) (5) (6) Q1 (TA = 25 C unless o

 0.2. Size:182K  emc
emf50n03js.pdfpdf_icon

EMF5

EMF50N03JS N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 30V RDSON (MAX.) 50m ID 3.5A G S Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 12 V TA = 25 C 3

Другие транзисторы: DMMT2907A, DMMT3904, DMR935E1, DMS935E1, DMS935E2, DTA114WCA, EMF23, EMF24, 2N3055, FJP13009H2TU, FJP1943, FJP2145, FJP2160D, FJP5200, FJPF2145, FJX992, FML10

 

 

 

 

↑ Back to Top
.