Биполярный транзистор EMF5 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: EMF5
Маркировка: F5
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
Корпус транзистора: SOT-563
EMF5 Datasheet (PDF)
emf5.pdf
EMF5 Transistors Power management (dual transistors) EMF5 2SA2018 and DTC144EE are housed independently in a EMT6 package. Application Dimensions (Units : mm) Power management circuit Features (4) ( )31) Power switching circuit in a single package. (5) (2)2) Mounting cost and area can be cut in half. (6) (1)1.2 1.6 Structure Silicon epitaxial planar transi
emf5.pdf
EMF5 General purpose transistors (dual transistors)FEATURES 2SA2018 and DTC144E are housed independently in a package. SOT-563 Mounting possible with SOT-563 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area be cut in half. 1 Marking: F5 (3) (2) (1)Equivalent circuit DTr2 Tr1R1R2(4) (5) (6)T
emf5xv6t5-d emf5xv6 emf5xv6t5g.pdf
EMF5XV6T5Preferred DevicesPower Management,Dual TransistorsNPN Silicon Surface Mount Transistorswith Monolithic Bias Resistor Networkhttp://onsemi.comFeatures Simplifies Circuit Design(3) (2) (1) Reduces Board Space Reduces Component CountQ1 These are Pb-Free DevicesQ2MAXIMUM RATINGSR2 R1Rating Symbol Value Unit(4) (5) (6)Q1 (TA = 25C unless o
emf50n03js.pdf
EMF50N03JSNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)50mID3.5AGSPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS12VTA=25C3
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050