FJP13009H2TU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FJP13009H2TU  📄📄 

Маркировка: J130092

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 180 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO-220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FJP13009H2TU

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJP13009H2TU даташит

 ..1. Size:283K  onsemi
 fjp13009tu fjp13009h2tu.pdf pdf_icon

FJP13009H2TU

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 6.1. Size:181K  fairchild semi
 fjp13009.pdf pdf_icon

FJP13009H2TU

March 2007 FJP13009 High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Capability High Switching Speed Suitable for Electronic Ballast and Switching Mode Power Supply TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings* TC = 25 C unless otherwise noted (notes_1) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter

 6.2. Size:232K  inchange semiconductor
 fjp13009.pdf pdf_icon

FJP13009H2TU

isc Silicon NPN Power Transistor FJP13009 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V = 400V(Min.) CEO(SUS) Collector Saturation Voltage V = 1.5 (Max) @ I = 8.0A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high-voltage, high-speed, power swit- ching in inductive circuit, they are p

 7.1. Size:540K  fairchild semi
 fjp13007.pdf pdf_icon

FJP13009H2TU

July 2008 FJP13007 High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage High Speed Power Switch Application High Voltage Capability High Switching Speed Suitable for Electronic Ballast and Switching Mode Power Supply TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings TC = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DMMT3904, DMR935E1, DMS935E1, DMS935E2, DTA114WCA, EMF23, EMF24, EMF5, BC548, FJP1943, FJP2145, FJP2160D, FJP5200, FJPF2145, FJX992, FML10, FML9