GSTM8050LT1 - описание и поиск аналогов

 

GSTM8050LT1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GSTM8050LT1

Маркировка: 80P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для GSTM8050LT1

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GSTM8050LT1 даташит

 ..1. Size:210K  globaltech semi
 gstm8050lt1.pdf pdf_icon

GSTM8050LT1

GSTM8050LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage 25V amplifier and switch. Collector Current 800mA Lead(Pb)-Free Packages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description 1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTM8050LT1F SOT-23 P 80P

 9.1. Size:503K  globaltech semi
 gstm882.pdf pdf_icon

GSTM8050LT1

GSTM882 NPN Epitaxial Planar Transistors Product Description Features This device is designed as a general purpose Lead(Pb)-Free amplifier and switch. Packages & Pin Assignments SOT-89 Pin Description 1 Base 2 Collector 3 Emitter Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTM882F SOT-89 (R) / (O) / (Y) / (GR) D882 Ordering Information Part Number Package Qua

Другие транзисторы... FZTA92 , GST2SC1383 , GST2SC3356 , GST2SC3838 , GST2SD965 , GSTD772 , GSTD882 , GSTM772 , TIP35C , GSTM882 , GSTMMBT2222A , GSTMMBT2907A , GSTMMBT3904 , GSTMMBT3906 , GSTMMBT5401 , GSTS772 , GSTS882 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.