LH8050PLT1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: LH8050PLT1G
Маркировка: KEO
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для LH8050PLT1G
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
LH8050PLT1G даташит
lh8050plt1g lh8050plt3g lh8050qlt1g lh8050qlt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LH8050PLT1G Series NPN Silicon S-LH8050PLT1G FEATURE Series High current capacity in compact package. IC =1.5A. 3 Epitaxial planar type. NPN complement LH8050 Pb-Free Package is available. 1 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 2 Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and
lh8050plt1g lh8050qlt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LH8050PLT1G Series NPN Silicon S-LH8050PLT1G FEATURE Series High current capacity in compact package. IC =1.5A. 3 Epitaxial planar type. NPN complement LH8050 Pb-Free Package is available. 1 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 2 Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and
lh8050plt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LH8050PLT1G Series NPN Silicon S-LH8050PLT1G FEATURE High current capacity in compact package. Series IC =1.5A. Epitaxial planar type. NPN complement LH8050 3 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 1 Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PP
lh8050qlt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LH8050PLT1G Series NPN Silicon S-LH8050PLT1G FEATURE Series High current capacity in compact package. IC =1.5A. 3 Epitaxial planar type. NPN complement LH8050 Pb-Free Package is available. 1 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 2 Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and
Другие транзисторы... GSTMMBT3904 , GSTMMBT3906 , GSTMMBT5401 , GSTS772 , GSTS882 , GSTS9014LT1 , GSTSS8050 , GSTSS8050LT1 , TIP42 , LH8550PLT1G , LJ2015-52 , LMBT6429LT1G , LMBTA06UT1G , LMBTA06WT1G , LMBTA43LT1G , LMBTA56WT1G , LMSD1819A-RT1G .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor




