Справочник транзисторов. LH8050PLT1G

 

Биполярный транзистор LH8050PLT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: LH8050PLT1G

Маркировка: KEO

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: SOT-23

Аналоги (замена) для LH8050PLT1G

 

 

LH8050PLT1G Datasheet (PDF)

0.1. lh8050plt1g.pdf Size:237K _lrc

LH8050PLT1G
LH8050PLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8050PLT1GSeriesNPN SiliconS-LH8050PLT1GFEATURE High current capacity in compact package.SeriesIC =1.5A. Epitaxial planar type. NPN complement: LH80503 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 1Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PP

8.1. lh8050qlt1g.pdf Size:211K _lrc

LH8050PLT1G
LH8050PLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8050PLT1GSeriesNPN SiliconS-LH8050PLT1GFEATURE Series High current capacity in compact package.IC =1.5A.3 Epitaxial planar type. NPN complement: LH8050 Pb-Free Package is available.1 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 2Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top