LS3550B - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор LS3550B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: LS3550B
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT-23-6

Аналоги (замена) для LS3550B

LS3550B Datasheet (PDF)

..1. Size:149K linear-systems
ls3550b.pdf

LS3550 SERIES MONOLITHIC DUAL PNP TRANSISTORS FEATURES 6 LEAD SOT-23 SURFACE MOUNT PACKAGE* * SOT-23TIGHT MATCHING1 2mV TOP VIEWEXCELLENT THERMAL TRACKING1 3V/C 1 6B1 C1ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS2 2 5E2 E1@ 25 C (unless otherwise stated) 3 4B2 C2Maximum Temperatures Storage Temperature -55 to +150 C Operating Junction Temperature -55 to +150 C Max

8.1. Size:149K linear-systems
ls3550c.pdf