MJ14002G - описание и поиск аналогов

 

MJ14002G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJ14002G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2000 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для MJ14002G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ14002G даташит

 ..1. Size:90K  onsemi
 mj14002g.pdf pdf_icon

MJ14002G

MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP) *Preferred Devices High-Current Complementary Silicon Power Transistors Designed for use in high-power amplifier and switching circuit http //onsemi.com applications. Features 60 AMPERE High Current Capability - IC Continuous = 60 Amperes COMPLEMENTARY SILICON DC Current Gain - hFE = 15-100 @ IC = 50 Adc POWER TRANSISTORS

 ..2. Size:90K  onsemi
 mj14001 mj14002 mj14003 mj14003g mj14002g mj14001g.pdf pdf_icon

MJ14002G

MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP) *Preferred Devices High-Current Complementary Silicon Power Transistors Designed for use in high-power amplifier and switching circuit http //onsemi.com applications. Features 60 AMPERE High Current Capability - IC Continuous = 60 Amperes COMPLEMENTARY SILICON DC Current Gain - hFE = 15-100 @ IC = 50 Adc POWER TRANSISTORS

 7.1. Size:90K  onsemi
 mj14001 mj14002 mj14003.pdf pdf_icon

MJ14002G

MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP) *Preferred Devices High-Current Complementary Silicon Power Transistors Designed for use in high-power amplifier and switching circuit http //onsemi.com applications. Features 60 AMPERE High Current Capability - IC Continuous = 60 Amperes COMPLEMENTARY SILICON DC Current Gain - hFE = 15-100 @ IC = 50 Adc POWER TRANSISTORS

 8.1. Size:241K  motorola
 mj14001r.pdf pdf_icon

MJ14002G

Order this document MOTOROLA by MJ14001/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN MJ14002* High-Current Complementary PNP MJ14001 Silicon Power Transistors . . . designed for use in high power amplifier and switching circuit applications, MJ14003* High Current Capability IC Continuous = 60 Amperes DC Current Gain hFE = 15 100 @ IC = 50 Adc *Motorola Preferred Device

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MJ11015G , MJ11016G , MJ11021G , MJ11022G , MJ11028G , MJ11032G , MJ11033G , MJ13009 , BD222 , MJ14003G , MJ15001G , MJ15003G , MJ15004G , MJ15015G , MJ15016G , MJ15022G , MJ15023G .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.