MJ15001G - описание и поиск аналогов

 

MJ15001G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJ15001G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1000 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для MJ15001G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ15001G даташит

 ..1. Size:151K  onsemi
mj15001g.pdfpdf_icon

MJ15001G

MJ15001 (NPN), MJ15002 (PNP) Complementary Silicon Power Transistors The MJ15001 and MJ15002 are power transistors designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications. http //onsemi.com Features 20 AMPERE High Safe Operating Area (100% Tested) - 5.0 A @ 40 V 0.5 A @ 100 V POWER TRANSISTORS For Low Distortion Complementary Designs COMPLEMENTARY

 7.1. Size:165K  motorola
mj15001r.pdfpdf_icon

MJ15001G

Order this document MOTOROLA by MJ15001/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN MJ15001 Complementary Silicon Power PNP MJ15002 Transistors The MJ15001 and MJ15002 are EpiBase power transistors designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications. High Safe Operating Area (100% Tested) 15 AMPERE 200 W @ 40 V POWER TRANSISTORS 50 W @ 100 V COMPLEMEN

 7.2. Size:159K  onsemi
mj15001 mj15002.pdfpdf_icon

MJ15001G

MJ15001 (NPN), MJ15002 (PNP) Complementary Silicon Power Transistors The MJ15001 and MJ15002 are power transistors designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications. http //onsemi.com Features 20 AMPERE High Safe Operating Area POWER TRANSISTORS For Low Distortion Complementary Designs COMPLEMENTARY SILICON High DC Current Gain Thes

 7.3. Size:205K  inchange semiconductor
mj15001.pdfpdf_icon

MJ15001G

isc Silicon NPN Power Transistor MJ15001 DESCRIPTION High DC Current Gain Wide Area of Safe Operation Complement to the PNP MJ15002 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high power audio,disk head positioners and other linear applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

Другие транзисторы... MJ11021G , MJ11022G , MJ11028G , MJ11032G , MJ11033G , MJ13009 , MJ14002G , MJ14003G , 2SC5200 , MJ15003G , MJ15004G , MJ15015G , MJ15016G , MJ15022G , MJ15023G , MJ15024G , MJ15025G .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.