Справочник транзисторов. MJ15001G

 

Биполярный транзистор MJ15001G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJ15001G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1000 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для MJ15001G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ15001G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  onsemi
 mj15001g.pdf pdf_icon

MJ15001G

MJ15001 (NPN),MJ15002 (PNP)Complementary SiliconPower TransistorsThe MJ15001 and MJ15002 are power transistors designed for highpower audio, disk head positioners and other linear applications.http://onsemi.comFeatures20 AMPERE High Safe Operating Area (100% Tested) - 5.0 A @ 40 V0.5 A @ 100 VPOWER TRANSISTORS For Low Distortion Complementary DesignsCOMPLEMENTARY

 7.1. Size:165K  motorola
 mj15001r.pdf pdf_icon

MJ15001G

Order this documentMOTOROLAby MJ15001/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNMJ15001Complementary Silicon PowerPNPMJ15002TransistorsThe MJ15001 and MJ15002 are EpiBase power transistors designed for highpower audio, disk head positioners and other linear applications. High Safe Operating Area (100% Tested) 15 AMPERE200 W @ 40 V POWER TRANSISTORS50 W @ 100 V COMPLEMEN

 7.2. Size:159K  onsemi
 mj15001 mj15002.pdf pdf_icon

MJ15001G

MJ15001 (NPN),MJ15002 (PNP)Complementary SiliconPower TransistorsThe MJ15001 and MJ15002 are power transistors designed for highpower audio, disk head positioners and other linear applications.http://onsemi.comFeatures20 AMPERE High Safe Operating AreaPOWER TRANSISTORS For Low Distortion Complementary DesignsCOMPLEMENTARY SILICON High DC Current Gain Thes

 7.3. Size:205K  inchange semiconductor
 mj15001.pdf pdf_icon

MJ15001G

isc Silicon NPN Power Transistor MJ15001DESCRIPTIONHigh DC Current GainWide Area of Safe OperationComplement to the PNP MJ15002100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high power audio,disk head positioners andother linear applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MJ11021G , MJ11022G , MJ11028G , MJ11032G , MJ11033G , MJ13009 , MJ14002G , MJ14003G , BD139 , MJ15003G , MJ15004G , MJ15015G , MJ15016G , MJ15022G , MJ15023G , MJ15024G , MJ15025G .

History: 2SC2908 | 2N3637CSM

 

 
Back to Top

 


 
.