MJ15001G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MJ15001G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1000 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для MJ15001G
MJ15001G даташит
mj15001g.pdf
MJ15001 (NPN), MJ15002 (PNP) Complementary Silicon Power Transistors The MJ15001 and MJ15002 are power transistors designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications. http //onsemi.com Features 20 AMPERE High Safe Operating Area (100% Tested) - 5.0 A @ 40 V 0.5 A @ 100 V POWER TRANSISTORS For Low Distortion Complementary Designs COMPLEMENTARY
mj15001r.pdf
Order this document MOTOROLA by MJ15001/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN MJ15001 Complementary Silicon Power PNP MJ15002 Transistors The MJ15001 and MJ15002 are EpiBase power transistors designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications. High Safe Operating Area (100% Tested) 15 AMPERE 200 W @ 40 V POWER TRANSISTORS 50 W @ 100 V COMPLEMEN
mj15001 mj15002.pdf
MJ15001 (NPN), MJ15002 (PNP) Complementary Silicon Power Transistors The MJ15001 and MJ15002 are power transistors designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications. http //onsemi.com Features 20 AMPERE High Safe Operating Area POWER TRANSISTORS For Low Distortion Complementary Designs COMPLEMENTARY SILICON High DC Current Gain Thes
mj15001.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJ15001 DESCRIPTION High DC Current Gain Wide Area of Safe Operation Complement to the PNP MJ15002 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high power audio,disk head positioners and other linear applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY
Другие транзисторы... MJ11021G , MJ11022G , MJ11028G , MJ11032G , MJ11033G , MJ13009 , MJ14002G , MJ14003G , 2SC5200 , MJ15003G , MJ15004G , MJ15015G , MJ15016G , MJ15022G , MJ15023G , MJ15024G , MJ15025G .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor



