Биполярный транзистор MJD148T4G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJD148T4G
Маркировка: J148G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
Корпус транзистора: TO-252
Аналоги (замена) для MJD148T4G
MJD148T4G Datasheet (PDF)
mjd148t4g.pdf
MJD148, NJVMJD148T4GNPN Silicon PowerTransistorDPAK For Surface Mount ApplicationsDesigned for general purpose amplifier and low speed switchinghttp://onsemi.comapplications.FeaturesPOWER TRANSISTOR High Gain - 50 Min @ IC = 2.0 A4.0 AMPERES Low Saturation Voltage - 0.5 V @ IC = 2.0 A45 VOLTS, 20 WATTS High Current Gain - Bandwidth Product - fT = 3.0 MHz Min @
mjd148.pdf
MJD148NPN Silicon PowerTransistorDPAK for Surface Mount ApplicationsDesigned for general purpose amplifier and low speed switchingwww.onsemi.comapplications.FeaturesPOWER TRANSISTOR High Gain4.0 AMPERES Low Saturation Voltage45 VOLTS, 20 WATTS High Current Gain - Bandwidth ProductCOLLECTOR Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in2, 4 NJV Prefix for Autom
njvmjd148.pdf
MJD148, NJVMJD148T4GNPN Silicon PowerTransistorDPAK For Surface Mount ApplicationsDesigned for general purpose amplifier and low speed switchinghttp://onsemi.comapplications.FeaturesPOWER TRANSISTOR High Gain - 50 Min @ IC = 2.0 A4.0 AMPERES Low Saturation Voltage - 0.5 V @ IC = 2.0 A45 VOLTS, 20 WATTS High Current Gain - Bandwidth Product - fT = 3.0 MHz Min @
mjd148.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS MJD148 DPAK (TO-252)Plastic PackageDesigned for General Purpose Amplifier and Low Speed Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage VCEO 45 VVCBOCollector Base Voltage 45 VEmitter Base Volta
mjd148.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJD148DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 85(Min) @ I = 0.5AFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.5V(Max.)@ I = 2ACE(sat) CDPAK for Surface Mount ApplicationsMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose amplifer and low speedswitching appli
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050