MJD31CT4G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJD31CT4G  📄📄 

Маркировка: J31CG

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO-252

 Аналоги (замена) для MJD31CT4G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJD31CT4G даташит

 ..1. Size:176K  onsemi
 mjd31ct4g.pdf pdf_icon

MJD31CT4G

MJD31, NJVMJD31T4G, MJD31C, NJVMJD31CT4G (NPN), MJD32, NJVMJD32T4G, MJD32C, NJVMJD32CG, NJVMJD32CT4G (PNP) http //onsemi.com Complementary Power SILICON POWER TRANSISTORS Transistors 3 AMPERES DPAK For Surface Mount Applications 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features Lead Formed for Surface Mount Appl

 0.1. Size:135K  onsemi
 mjd31 njvmjd31t4g mjd31c njvmjd31ct4g mjd32 njvmjd32t4g mjd32c njvmjd32cg njvmjd32ct4g.pdf pdf_icon

MJD31CT4G

 0.2. Size:132K  onsemi
 njvmjd31ct4g-vf01 njvmjd32ct4g-vf01.pdf pdf_icon

MJD31CT4G

NJVMJD3xxT4G-VF01 Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching www.onsemi.com applications. Features SILICON Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves POWER TRANSISTORS Straight Lead Version in Plastic Sleeves ( 1 Suffix) 3 AMPERES Lead Formed Version in 16 mm

 6.1. Size:401K  st
 mjd31ct4-a.pdf pdf_icon

MJD31CT4G

MJD31CT4-A Low voltage NPN power transistor Datasheet - production data Features This device is qualified for automotive application TAB Surface-mounting TO-252 power package in tape and reel 3 Complementary to the PNP type MJD32C 1 Application DPAK General purpose linear and switching TO-252 equipment Description Figure 1. Internal schematic diagram The dev

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJD2955T4G, MJD3055G, MJD3055T4G, MJD31C1G, MJD31CG, MJD31CQ, MJD31CRLG, MJD31CT4-A, S9013, MJD31T4G, MJD32CG, MJD32CQ, MJD32CRLG, MJD32CT4-A, MJD32CT4G, MJD340G, MJD340RLG